Disco de liga de tungstênio
Vantagens dos discos de tungstênio: resistência ao calor única (ponto de fusão do tungstênio é +3422 grau), alta resistência à deformação térmica, alto módulo de elasticidade, menor coeficiente de expansão térmica em comparação com outros metais, resistência a ambientes agressivos, resistência a corrosão,...
Descrição
Vantagens dos discos de tungstênio: resistência ao calor única (ponto de fusão do tungstênio é +3422 grau), alta resistência à deformação térmica, alto módulo de elasticidade, menor coeficiente de expansão térmica em comparação com outros metais, resistência a ambientes agressivos, resistência a corrosão, alta resistência, longa vida útil, boa confiabilidade. corrosão, alta resistência, longa vida útil e confiabilidade.
Descrição dos produtos
Propriedades do disco de tungstênio (teóricas)
| Peso molecular | 183.85 |
|---|---|
| Aparência | Prateado |
| Ponto de fusão | 3410 graus |
| Ponto de ebulição | 5900 graus |
| Densidade | 19,3g/cm3 |
| Solubilidade em H2O | N/A |
| Resistividade elétrica | 5,65 μΩ·m (27 graus) |
| Eletro-negatividade | 1.7 Paulings |
| Calor de fusão | 35,3kJ/mol |
| Calor da vaporização | 806,7kJ/mol |
| Razão de Poisson | 0.28 |
| Calor específico | 00,133 J/g mol (20 graus) |
| Resistência à tracção | 750MPa |
| Condutividade térmica | 1.73 W/m K |
| Expansão térmica | (25 graus) 4,5 µm·m-1·K-1 |
| Dureza Vickers | 3430 MPa |
| Módulo de Young | 411 GPa |
Os discos de tungstênio são fabricados por cozimento e posterior processamento mecânico. A qualidade dos materiais refratários e os métodos de fabricação garantem alta confiabilidade operacional e resistência ao calor dos discos. Os discos podem ser fabricados em qualquer formato e tamanho. Tolerâncias e dimensões devem ser acordadas com o cliente. O preço dos discos de tungstênio depende da configuração do material compósito, das especificações e de outros requisitos do cliente. A qualidade do produto é definida pelas condições técnicas. Discos de tungstênio são usados como elementos estruturais em dispositivos semicondutores carregados de silício.
embalagem
Perguntas frequentes
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